### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**2N03L03-VB**是一款單N溝道MOSFET，由VBsemi生產(chǎn)，采用TO263封裝。這款MOSFET具有30V的漏源電壓（VDS）和20V（±）的柵源電壓（VGS）。其開(kāi)啟閾值電壓（Vth）為1.7V，導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）在柵源電壓為4.5V時(shí)為3.2mΩ，在柵源電壓為10V時(shí)為2.3mΩ，最大漏極電流（ID）為150A。采用Trench技術(shù)，適用于各種高功率高頻應(yīng)用場(chǎng)景。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

| 參數(shù)                | 規(guī)格                   |
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| 封裝類型            | TO263                 |
| 配置                | 單N溝道               |
| 漏源電壓（VDS）     | 30V                   |
| 柵源電壓（VGS）     | 20V（±）               |
| 開(kāi)啟閾值電壓（Vth） | 1.7V                  |
| 導(dǎo)通電阻（RDS(ON)） | 3.2mΩ@VGS=4.5V, 2.3mΩ@10V |
| 最大漏極電流（ID）  | 150A                  |
| 技術(shù)                | Trench                |

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

1. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**：2N03L03-VB MOSFET適用于高功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)，如電動(dòng)汽車、電動(dòng)工具和工業(yè)電機(jī)。其高漏極電流和低導(dǎo)通電阻能力使其能夠提供高效的電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)。

2. **電源模塊**：在需要高功率密度和高效率的電源模塊中，2N03L03-VB MOSFET可以用作開(kāi)關(guān)元件。其高電流和低導(dǎo)通電阻特性使其能夠提供穩(wěn)定可靠的電源輸出。

3. **服務(wù)器電源**：在服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心的電源管理中，2N03L03-VB MOSFET可以用于DC-DC轉(zhuǎn)換器和服務(wù)器電源單元（PSU）。其高效率和高可靠性使其成為服務(wù)器電源的理想選擇。

4. **電動(dòng)汽車充電樁**：在電動(dòng)汽車充電樁中，2N03L03-VB MOSFET用于直流充電樁的功率轉(zhuǎn)換和控制。其高壓和高電流能力確保充電過(guò)程的高效率和穩(wěn)定性。

5. **感應(yīng)加熱設(shè)備**：在感應(yīng)加熱設(shè)備中，如感應(yīng)爐和感應(yīng)加熱器，這款MOSFET可以用于高功率開(kāi)關(guān)控制。其高電流和高功率特性使其能夠提供高效的感應(yīng)加熱效果。