### 產(chǎn)品簡介

VBsemi的2LN60K3-VB是一款高性能的單N溝道MOSFET，采用Plannar技術，封裝在TO251中。這款MOSFET適用于高壓開關應用，具有較高的漏極電壓和較低的導通電阻，適合在電源管理、工業(yè)控制和照明等領域的應用。

### 詳細的參數(shù)說明

- **型號**: 2LN60K3-VB
- **封裝**: TO251
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 4300mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 2A
- **技術**: Plannar

### 應用領域和模塊

1. **電源管理**
  - **應用場景**: 用作高壓開關元件，用于DC-DC轉(zhuǎn)換器和AC-DC轉(zhuǎn)換器，提高轉(zhuǎn)換效率，降低功耗。
  - **模塊**: 服務器電源、工業(yè)電源、通信設備電源。

2. **工業(yè)控制**
  - **應用場景**: 在工業(yè)自動化設備中作為驅(qū)動元件，用于電機控制、PLC系統(tǒng)中，提高系統(tǒng)的控制精度和響應速度。
  - **模塊**: 電機驅(qū)動器、可編程邏輯控制器、工業(yè)電源模塊。

3. **照明**
  - **應用場景**: 在LED照明系統(tǒng)中用作開關元件，控制LED的亮度和開關。
  - **模塊**: LED驅(qū)動器、照明控制系統(tǒng)。

2LN60K3-VB具有較高的漏極電壓和適中的導通電阻，適用于需要高壓開關的應用場景，能夠提高系統(tǒng)的性能和可靠性。