### 產品簡介

**28NM50N-VB**是一款單N溝道MOSFET，由VBsemi生產，采用TO220封裝。這款MOSFET具有500V的漏源電壓（VDS）和30V（±）的柵源電壓（VGS）。其開啟閾值電壓（Vth）為3.5V，導通電阻（RDS(ON)）在柵源電壓為10V時為140mΩ，最大漏極電流（ID）為30A。采用SJ_Multi-EPI技術，適用于各種高壓高功率應用場景。

### 詳細參數說明

| 參數                | 規格                  |
|--------------------|----------------------|
| 封裝類型            | TO220                |
| 配置                | 單N溝道              |
| 漏源電壓（VDS）     | 500V                 |
| 柵源電壓（VGS）     | 30V（±）              |
| 開啟閾值電壓（Vth） | 3.5V                 |
| 導通電阻（RDS(ON)） | 140mΩ@VGS=10V        |
| 最大漏極電流（ID）  | 30A                  |
| 技術                | SJ_Multi-EPI         |

### 應用領域和模塊

1. **電源逆變器**：28NM50N-VB MOSFET適用于電源逆變器，如太陽能逆變器和風力發電逆變器。其高漏源電壓和電流能力使其能夠處理高功率的直流-交流轉換。

2. **電動汽車充電樁**：在電動汽車充電樁中，28NM50N-VB MOSFET用于直流充電樁的功率轉換和控制。其高壓和高電流能力確保充電過程的高效率和穩定性。

3. **高壓電源模塊**：在需要高壓穩定輸出的電源模塊中，28NM50N-VB MOSFET可以用作開關元件。其高漏源電壓和低導通電阻能力使其能夠提供穩定可靠的高壓電源輸出。

4. **感應加熱設備**：在感應加熱設備中，如感應爐和感應加熱器，這款MOSFET可以用于高功率開關控制。其高電流和高功率特性使其能夠提供高效的感應加熱效果。

5. **電力傳輸**：在電力傳輸和分配系統中，28NM50N-VB MOSFET可以用于開關控制和保護。其高壓和高電流能力使其能夠處理電力系統中的高壓和高功率要求。