### 產品簡介
28N50H-VB 是一款單N溝道MOSFET，采用TO3P封裝，由VBsemi提供。該器件具有高漏極電壓和適中的導通電阻，適用于各種高壓高功率應用。采用了SJ_Multi-EPI技術，提供了優異的電氣性能和可靠性。
### 詳細參數說明
- **封裝類型**：TO3P
- **配置**：單N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**：600V
- **柵源極電壓 (VGS)**：±30V
- **柵閾值電壓 (Vth)**：3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**：190mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**：20A
- **技術**：SJ_Multi-EPI
### 應用領域和模塊
28N50H-VB MOSFET 在多個領域和模塊中具有廣泛的應用，以下是一些典型的應用示例：
1. **工業電源**：
由于其高漏極電壓和適中的導通電阻，該器件適用于工業電源系統中的開關電源、逆變器等部件，提供高效的電能轉換和穩定的電源輸出。
2. **電力傳輸**：
在電力傳輸和分配系統中，28N50H-VB 可以用作高壓開關器件，幫助控制電力流動并確保系統安全穩定運行。
3. **醫療設備**：
該MOSFET 可以用于醫療設備中的高壓電源和電機驅動器，提供可靠的電力傳輸和控制功能。
4. **電動汽車充電樁**：
在電動汽車充電樁中，28N50H-VB 可以用作功率開關器件，幫助實現高效的電池充電和放電過程。
5. **太陽能逆變器**：
該器件適用于太陽能逆變器中的功率開關電路，將太陽能轉換為電能并提供給電網使用。
以上應用示例展示了28N50H-VB 的多功能性和適用性，使其成為各種高壓高功率電子系統中的理想選擇。
