--- 產品參數 ---
- 封裝 TO247封裝
- 溝道 N-Channel
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### VBsemi 27NM60ND-VB MOSFET 產品概述
VBsemi 27NM60ND-VB 是一款高性能的 N-Channel MOSFET,采用 TO247 封裝,適用于需要高效能功率開關和電源管理的各種應用。該器件具有穩健的性能和可靠性,適用于多種電子設備和系統。
### 詳細規格
- **封裝**:TO247
- **配置**:單 N-Channel
- **VDS(漏源電壓)**:650V
- **VGS(柵源電壓)**:±30V
- **Vth(閾值電壓)**:3.5V
- **RDS(ON)(漏源電阻)**:75mΩ @ VGS = 10V
- **ID(連續漏極電流)**:47A
- **技術**:SJ_Multi-EPI

### 應用示例
1. **電力傳輸和配電**:
27NM60ND-VB 可用于電力傳輸和配電系統中的功率開關和控制。其高漏源電壓和低導通電阻有助于提高系統的效率和穩定性。
2. **電動汽車充電樁**:
該 MOSFET 可用于電動汽車充電樁中的功率開關和電源管理。其高電流處理能力和穩定性能使其成為電動汽車充電設備的可靠組件。
3. **工業驅動器**:
在工業驅動器中,27NM60ND-VB 可用于功率開關和控制。其穩定的性能和高電流處理能力使其成為工業自動化系統中的關鍵組件。
4. **太陽能逆變器**:
由于其高漏源電壓和低導通電阻,該器件可用于太陽能逆變器中的功率開關和控制,有助于提高太陽能電池系統的效率和可靠性。
總的來說,VBsemi 27NM60ND-VB MOSFET 可在電力傳輸和配電、電動汽車充電樁、工業驅動器和太陽能逆變器等領域中發揮重要作用,為各種應用提供高效能的功率開關和電源管理解決方案。
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