### 產(chǎn)品簡介詳

**VBsemi 2764I-A-VB TO220F** 是一款高性能的單N溝道MOSFET，采用平面結(jié)構(gòu)技術(shù)制造。該器件具有高耐壓和低導(dǎo)通電阻，適用于要求高可靠性和高性能的電源管理和開關(guān)應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**：2764I-A-VB
- **封裝**：TO220F
- **配置**：單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**：650V
- **柵源電壓 (VGS)**：±30V
- **門限電壓 (Vth)**：3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**：1100mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**：7A
- **技術(shù)**：平面結(jié)構(gòu) (Plannar)

### 適用領(lǐng)域和模塊

**1. 電源管理**
2764I-A-VB TO220F MOSFET適用于高耐壓的電源管理模塊。其高耐壓特性使其在工業(yè)電源、UPS系統(tǒng)和太陽能逆變器中具有良好的性能。

**2. 照明應(yīng)用**
在LED照明系統(tǒng)中，這款MOSFET可以用于驅(qū)動和控制模塊。其高耐壓和低導(dǎo)通電阻有助于提高照明系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。

**3. 電動車輛 (EV)**
在電動車輛的充電樁和電池管理系統(tǒng)中，2764I-A-VB TO220F能夠處理高壓和高電流，確保電動車輛的安全充電和穩(wěn)定運(yùn)行。

**4. 工業(yè)自動化**
在工業(yè)自動化設(shè)備中，這款MOSFET可以用于高壓負(fù)載開關(guān)和逆變器模塊，提高設(shè)備的效率和可靠性。

**5. 醫(yī)療設(shè)備**
在醫(yī)療設(shè)備中，2764I-A-VB TO220F可以用于高壓電源管理和負(fù)載控制，確保設(shè)備的安全和穩(wěn)定性。

綜上所述，VBsemi 2764I-A-VB TO220F MOSFET在多個(gè)領(lǐng)域和模塊上都有廣泛的應(yīng)用，是要求高耐壓和高性能的電源管理和開關(guān)應(yīng)用的理想選擇。