### 1. 產品簡介：
2761I-H-VB是一款高壓單N溝道MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技術制造，具有高耐壓和適中導通電阻特性。該器件適用于低功率高壓應用場合，如照明、醫療設備和工業控制等領域。
### 2. 參數說明：
- **器件類型**：單N溝道MOSFET
- **封裝**：TO220F
- **最大漏極-源極電壓（VDS）**：700V
- **最大柵極-源極電壓（VGS）**：±30V
- **閾值電壓（Vth）**：3.5V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：1100mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流（ID）**：5A
- **技術特點**：SJ_Multi-EPI
### 3. 應用示例：
- **照明**：2761I-H-VB適用于LED照明驅動器中的功率開關，可以實現對LED燈的高效控制。其高耐壓特性可以保證照明系統的穩定性。
- **醫療設備**：在醫療設備中，2761I-H-VB可以用作開關元件，實現對醫療設備的控制。其適中的導通電阻特性可以滿足低功率設備的要求。
- **工業控制**：在工業控制系統中，2761I-H-VB可以用作開關元件，實現對各種工業設備的控制。其高漏極電壓和適中導通電阻特性可以提高系統的穩定性和可靠性。
