### 產品概述：26NM60N-VB
26NM60N-VB是一款單N溝道MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技術，具有高電壓和高電流特性。它采用TO247封裝，適用于高功率應用場景。這款MOSFET具有低導通電阻和高耐壓特性，適用于要求高效率和高可靠性的電源管理和功率控制應用。
### 詳細規格
- **封裝**：TO247
- **配置**：單N溝道
- **漏極-源極電壓（VDS）**：650V
- **柵極-源極電壓（VGS）**：±30V
- **閾值電壓（Vth）**：3.5V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：75mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流（ID）**：47A
- **技術**：SJ_Multi-EPI
### 應用及使用場景
1. **電源管理**：
- **開關電源**：由于其高耐壓和低導通電阻，適用于開關電源中的功率開關，提供高效率的電源轉換。
- **太陽能逆變器**：可用于太陽能逆變器中的功率開關，提供高效的太陽能電能轉換。
2. **工業控制**：
- **工業電機控制**：在工業控制系統中，可用于工業電機控制器，提供高效的電機控制。
- **UPS系統**：適用于UPS系統中的功率開關，確保高效率的電池備份電源。
3. **電動汽車**：
- **電動汽車控制器**：在電動汽車控制系統中，可用于電動汽車驅動器，提供高效的電動汽車控制和動力輸出。
- **充電樁**：適用于電動汽車充電樁中的功率開關，提供高效的充電性能。
通過其高耐壓和高電流特性，26NM60N-VB適用于多種高功率應用場景，為工程師和設計者提供高性能的電源管理和功率控制解決方案。
