### VBsemi 26N50-VB MOSFET 產品概述

VBsemi 26N50-VB 是一款高性能的單 N-通道 MOSFET，設計用于各種功率管理應用。該 MOSFET 封裝在 TO3P 封裝中，適用于高功率應用。它采用了 SJ_Multi-EPI 技術，具有較低的導通電阻和高電壓承載能力，適用于要求高可靠性和高效率的應用場合。

### 詳細規格

- **封裝：** TO3P
- **配置：** 單 N-通道
- **VDS（漏極-源極電壓）：** 600V
- **VGS（柵極-源極電壓）：** ±30V
- **Vth（柵極閾值電壓）：** 3.5V
- **RDS(ON)（導通電阻）：** 190mΩ @ VGS = 10V
- **ID（連續漏極電流）：** 20A
- **技術：** SJ_Multi-EPI

### 應用和用例

VBsemi 26N50-VB MOSFET 適用于各種領域和模塊：

1. **工業電源系統：**
  - **高壓直流電源：** 由于其高電壓承載能力和低導通電阻，適用于工業級高壓直流電源的開關電路。
  - **電力因數校正：** 在電力因數校正裝置中，可用于控制電流和電壓。

2. **電動汽車充電樁：**
  - **充電樁控制器：** 用于控制充電樁的功率開關，確保充電效率和安全性。

3. **太陽能逆變器：**
  - **逆變器控制：** 在太陽能逆變器中用于控制電流和電壓，提高能源轉換效率。

4. **工業自動化：**
  - **PLC 控制器：** 用于工廠自動化系統中的電力開關和控制。

5. **醫療設備：**
  - **X 射線發生器：** 用于控制 X 射線發生器的電源開關，確保精確的 X 射線產生。

VBsemi 26N50-VB MOSFET 具有高可靠性、低導通電阻和高電壓承載能力，適用于各種高功率應用，包括工業電源、電動汽車充電樁、太陽能逆變器等。