### 產品簡介

**26N50L-T3P-T-VB**是一款單N溝道MOSFET，由VBsemi生產，采用TO3P封裝。這款MOSFET具有600V的漏源電壓（VDS）和30V（±）的柵源電壓（VGS）。其開啟閾值電壓（Vth）為3.5V，導通電阻（RDS(ON)）在柵源電壓為10V時為190mΩ，最大漏極電流（ID）為20A。采用SJ_Multi-EPI技術，適用于各種高壓應用場景。

### 詳細參數說明

| 參數                | 規格          |
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| 封裝類型            | TO3P         |
| 配置                | 單N溝道      |
| 漏源電壓（VDS）     | 600V         |
| 柵源電壓（VGS）     | 30V（±）      |
| 開啟閾值電壓（Vth） | 3.5V         |
| 導通電阻（RDS(ON)） | 190mΩ@VGS=10V|
| 最大漏極電流（ID）  | 20A          |
| 技術                | SJ_Multi-EPI |

### 應用領域和模塊

1. **電源管理模塊**：26N50L-T3P-T-VB MOSFET適用于開關電源（SMPS）、不間斷電源（UPS）和直流-直流轉換器（DC-DC Converter）等電源管理模塊。這些模塊需要高效率和高可靠性的開關元件，以減少功率損耗并提高系統性能。

2. **工業控制**：在工業控制應用中，如電機驅動、變頻器和伺服驅動器，26N50L-T3P-T-VB MOSFET的高電流和高電壓處理能力使其成為理想選擇。這些應用需要高效的開關器件來處理高電流和電壓，同時保證系統的穩定性和可靠性。

3. **光伏逆變器**：光伏逆變器將太陽能電池板產生的直流電轉換為交流電，26N50L-T3P-T-VB MOSFET在這些逆變器中起著關鍵作用。它能夠處理高電壓和電流，確保逆變器的高效運行和長壽命。

4. **電動汽車（EV）充電樁**：在電動汽車充電樁中，26N50L-T3P-T-VB MOSFET用于高效的電能轉換和控制。其高電壓和電流能力確保充電過程的快速性和安全性。

5. **照明控制**：在LED照明和其他高效照明系統中，這款MOSFET被用來調節電流和控制亮度，確保系統的高效和穩定運行。