### 產品簡介詳

**VBsemi 26CNE8N-VB TO220** 是一種高性能的單N溝道MOSFET，采用先進的溝槽技術制造。該器件具有高電流處理能力和低導通電阻，非常適合高效率電源管理和開關應用。

### 詳細參數說明

- **型號**：26CNE8N-VB
- **封裝**：TO220
- **配置**：單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**：80V
- **柵源電壓 (VGS)**：±20V
- **門限電壓 (Vth)**：3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**：
 - 9mΩ @ VGS=4.5V
 - 7mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**：100A
- **技術**：溝槽 (Trench)

### 適用領域和模塊

**1. 電源管理**
26CNE8N-VB TO220 MOSFET適用于高效率電源管理模塊。其低導通電阻和高電流處理能力使其在DC-DC轉換器、AC-DC適配器和電池管理系統中表現出色，能夠有效減少功耗并提升整體效率。

**2. 電機驅動**
在電機控制和驅動模塊中，這款MOSFET憑借其高電流能力和穩健的電壓承受能力，適用于無刷直流電機 (BLDC) 驅動、電動車輛 (EV) 的電機控制系統，以及工業自動化中的伺服電機驅動。

**3. 負載開關**
由于其高導通電流和低導通電阻，26CNE8N-VB TO220是高功率負載開關應用的理想選擇。它可以用于電源分配網絡中的高效開關、智能電表中的負載控制以及通信設備中的功率管理。

**4. 太陽能逆變器**
在太陽能光伏逆變器中，該MOSFET能夠高效轉換和管理太陽能電池板產生的能量，確保系統的高效運行和長時間的穩定性。

**5. 不間斷電源 (UPS)**
26CNE8N-VB TO220在UPS系統中也有廣泛應用，幫助實現高效的電能轉換和可靠的電源保護，確保設備在電源故障時能夠無縫切換到備用電源。

綜上所述，VBsemi 26CNE8N-VB TO220 MOSFET在多個領域和模塊上均表現出色，是高性能電源管理和高功率控制應用的理想選擇。