### 產品簡介

VBsemi的26CN10N-VB是一款高性能的單N溝道MOSFET，采用先進的Trench技術，封裝在TO262中。這款MOSFET設計用于高效率的開關應用，具有低導通電阻和高電流處理能力，非常適合在電源管理、汽車電子和工業控制等領域的應用。

### 詳細的參數說明

- **型號**: 26CN10N-VB
- **封裝**: TO262
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 100V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 2.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 10mΩ @ VGS=4.5V
 - 9mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 100A
- **技術**: Trench

### 應用領域和模塊

1. **電源管理**
  - **應用場景**: 作為開關元件用于DC-DC轉換器和AC-DC轉換器，提高轉換效率，降低功耗。
  - **模塊**: 開關電源、逆變器、充電器。

2. **汽車電子**
  - **應用場景**: 用于電動汽車的驅動電路，電池管理系統，以及車載充電器中，以確保高效率和高可靠性。
  - **模塊**: 電動汽車控制單元、電池管理系統、車載充電模塊。

3. **工業控制**
  - **應用場景**: 在工業自動化設備中作為驅動元件，用于電機控制、PLC系統中，提高系統的控制精度和響應速度。
  - **模塊**: 電機驅動器、可編程邏輯控制器、工業電源模塊。

26CN10N-VB的高電流處理能力和低導通電阻使其在這些領域中的應用非常廣泛，能夠顯著提高系統的性能和可靠性。