--- 產品參數 ---
- 封裝 SOT23-6封裝
- 溝道 N+N-Channel
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品概述:26CEH8205-VB
26CEH8205-VB是一款雙N溝道MOSFET,采用先進的溝道技術設計,具有高效率和低功耗特性。它采用緊湊的SOT23-6封裝,適用于空間受限的應用場景。這款MOSFET非常適合用于功率管理、負載開關和其他需要高效電源控制的應用中。
### 詳細規格
- **封裝**:SOT23-6
- **配置**:雙N溝道
- **漏極-源極電壓(VDS)**:20V
- **柵極-源極電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:0.5V至1.5V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
- 28mΩ @ VGS = 2.5V
- 24mΩ @ VGS = 4.5V
- **漏極電流(ID)**:6A
- **技術**:溝道技術

### 應用及使用場景
1. **功率管理**:
- **直流-直流轉換器**:26CEH8205-VB可用于直流-直流轉換器,實現對消費電子產品的電壓調節,提高效率和熱性能。
- **電池保護電路**:由于其低導通電阻,非常適合用于電池保護電路,確保最小功耗和熱量產生。
2. **負載開關**:
- **開關穩壓器**:其高電流容量和低導通電阻使其非常適合用于電源中的開關穩壓器,在負載開關應用中提供可靠性能。
- **LED驅動器**:這款MOSFET可用于LED驅動器中,提供高效的開關控制,以控制LED的亮度和功耗。
3. **電機控制**:
- **無刷直流電機控制器**:在電機控制應用中,26CEH8205-VB可用于無刷直流電機控制器,提供精確的控制和高效的運行。
- **執行器驅動器**:適用于汽車和工業應用中的執行器驅動器電路,確保穩健的性能和長壽命。
通過利用其先進的溝道技術和雙N溝道配置,26CEH8205-VB可在各種功率管理和控制應用中提供高效率和可靠性,使其成為工程師和設計者的多功能選擇。
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