--- 產品參數 ---
- 封裝 SOT23-6封裝
- 溝道 N+N-Channel
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 一、2626GY-VB 產品簡介
2626GY-VB 是一款雙N+N溝道MOSFET,封裝形式為SOT23-6,采用了Trench技術,具有較低的漏源極電壓(20V)和適中的電流(6A)處理能力。該器件在2.5V和4.5V柵極驅動電壓下分別具有28mΩ和22mΩ的導通電阻,適用于低功率、低電壓的應用場合,如電池管理、移動設備等,具有低導通電阻和高效能量轉換的特點。
### 二、2626GY-VB 詳細參數說明
- **封裝形式**:SOT23-6
- **配置**:雙N+N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**:20V
- **柵源極電壓 (VGS)**:±12V
- **閾值電壓 (Vth)**:0.5~1.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:28mΩ @VGS = 2.5V, 22mΩ @VGS = 4.5V
- **漏極電流 (ID)**:6A
- **技術**:Trench

### 三、2626GY-VB 應用領域和模塊舉例
1. **電池管理**:
- **應用說明**:2626GY-VB 可以用于低功率、低電壓的電池管理系統,提供低導通電阻和高效能量轉換。
- **實例**:適用于便攜式設備、智能手表等的電池管理模塊。
2. **移動設備**:
- **應用說明**:在移動設備中,2626GY-VB 可以提供穩定的電流輸出和高效能量轉換,延長電池續航時間。
- **實例**:適用于智能手機、平板電腦等移動設備的電源管理模塊。
3. **LED驅動**:
- **應用說明**:2626GY-VB 可以用作LED驅動器件,提供穩定的電流輸出和高效的能量轉換。
- **實例**:適用于小功率LED燈具、指示燈等的驅動模塊。
這些應用示例展示了2626GY-VB 在低功率、低電壓應用中的廣泛適用性和優越性能,能夠滿足多種電池管理、移動設備和LED驅動等領域的需求。
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