### 一、產品簡介

2622GY-VB 是 VBsemi 生產的一款雙N溝道MOSFET，封裝為SOT23-6，具有雙N溝道配置，適用于低壓、低功率的電路控制和開關應用。采用溝槽技術（Trench），盡管性能較低，但在特定應用場景下仍具有一定的作用。

### 二、詳細參數說明

- **型號**：2622GY-VB
- **封裝**：SOT23-6
- **配置**：雙N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**：60V
- **柵源極電壓 (VGS)**：20（±V）
- **閾值電壓 (Vth)**：1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**：3000mΩ @ VGS=4.5V，1800mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**：0.35A
- **技術**：溝槽技術（Trench）

### 三、應用領域和模塊示例

1. **電路保護**：2622GY-VB 可以用作低功率電路的保護開關，保護電路免受過載和短路的損害。

2. **傳感器控制**：在需要對傳感器進行控制的系統中，該MOSFET可以用于信號開關和放大。

3. **醫療器械**：在一些低功率的醫療器械中，2622GY-VB 可以用于控制電路，保證設備的正常運行。

4. **消費類電子產品**：在一些消費類電子產品中，如智能手環、智能眼鏡等，該MOSFET可以用于控制電路和電源管理。

5. **LED控制**：在一些低功率LED燈具中，2622GY-VB 可以用于LED控制和調光。

盡管2622GY-VB 的性能較低，但在一些低功率、低壓的應用場景中仍有一定的適用性，可以作為一種經濟實惠的選擇。