### 一、產品簡介

**型號：260N6F6-VB**

VBsemi的260N6F6-VB是一款單N溝道MOSFET，采用了Trench技術。該器件具有高耐壓、低導通電阻等特點，適用于各種高功率電源電子應用場合。其TO263封裝適合中大功率電路設計，具有良好的散熱性能和可靠性。

### 二、詳細參數說明

- **封裝類型**：TO263
- **配置**：單N溝道
- **漏源電壓（VDS）**：80V
- **柵源電壓（VGS）**：±20V
- **閾值電壓（Vth）**：3V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：10mΩ @ VGS=4.5V, 5mΩ @ VGS=10V
- **連續漏電流（ID）**：215A
- **技術**：Trench技術

### 三、應用領域和模塊舉例

**1. 電源放大器**

260N6F6-VB適用于音頻功率放大器和高功率電源放大器中的開關電路。其低導通電阻和高電流承載能力有助于提高功率放大器的效率和性能。

**2. 電動汽車**

該MOSFET可用于電動汽車中的電機驅動電路。其高電流承載能力和低導通電阻有助于提高電動汽車的動力性能和續航里程。

**3. 工業設備**

260N6F6-VB適用于工業設備中的高功率開關和驅動電路。其高可靠性和耐久性確保在惡劣工業環境中穩定運行，適用于各種工業自動化設備。

**4. 電源模塊**

該器件可用于高功率電源模塊，如服務器電源和通信設備電源。其高功率承載能力和低導通電阻有助于提高電源模塊的效率和穩定性。