### 一、產品簡介

2601NZ-VB 是 VBsemi 生產的一款雙N溝道MOSFET，封裝為TSSOP8，具有共源極（Common Drain）結構，適用于低壓、中功率的電源開關和放大器等應用。采用溝槽技術（Trench），具有低導通電阻和高電流能力。

### 二、詳細參數說明

- **型號**：2601NZ-VB
- **封裝**：TSSOP8
- **配置**：共源極雙N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**：30V
- **柵源極電壓 (VGS)**：20（±V）
- **閾值電壓 (Vth)**：1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**：19mΩ @ VGS=4.5V，12mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**：8.6A
- **技術**：溝槽技術（Trench）

### 三、應用領域和模塊示例

1. **音頻放大器**：2601NZ-VB 可以用作音頻放大器的關鍵部件，提供高保真的音頻信號放大。

2. **電源開關**：在低壓電源開關中，該MOSFET可以用于高效能的功率開關和電流控制。

3. **LED驅動**：在LED照明系統中，該MOSFET可以用于LED驅動電路，提供穩定的電流控制和功率開關。

4. **電池管理**：在需要對鋰電池進行充放電控制的系統中，2601NZ-VB 可以作為開關元件使用，保護電池不受過充、過放電的影響。

5. **便攜式設備**：在便攜式設備如筆記本電腦和平板電腦中，該MOSFET可以用于電源管理IC，提供高效的電源分配和保護。

綜上所述，2601NZ-VB 在低壓、中功率應用領域有著廣泛的應用前景，具有穩定可靠的性能和高效的電能轉換能力。