### 一、產品簡介

**型號：25T03GH-VB**

VBsemi的25T03GH-VB是一款單N溝道MOSFET，采用了Trench技術。該器件具有低電壓、低導通電阻等特點，適用于各種低功率電源電子應用場合。其TO252封裝適合小型電路設計，具有良好的散熱性能和可靠性。

### 二、詳細參數說明

- **封裝類型**：TO252
- **配置**：單N溝道
- **漏源電壓（VDS）**：30V
- **柵源電壓（VGS）**：±20V
- **閾值電壓（Vth）**：1.7V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：9mΩ @ VGS=4.5V, 7mΩ @ VGS=10V
- **連續漏電流（ID）**：70A
- **技術**：Trench技術

### 三、應用領域和模塊舉例

**1. 電池管理**

25T03GH-VB適用于便攜式設備和電池管理系統中的開關電路。其低導通電阻和低壓降特性可提高能源轉換效率，并延長電池壽命。

**2. 手持設備**

該MOSFET可用于手持設備中的電池管理模塊和電源管理系統。其高電流承載能力和低導通電阻有助于延長電池壽命并提高設備的使用時間。

**3. 通信設備**

25T03GH-VB適用于通信設備中的電源管理和信號開關電路。其高耐壓和高電流承載能力確保設備的穩定性和可靠性，適用于各種通信設備模塊。

**4. 汽車電子**

該器件可用于汽車電子領域，如車載電源管理和汽車娛樂系統中的開關電路。其低導通電阻和高可靠性可確保在汽車環境中穩定運行。