### 25NM60ND-VB TO247 MOSFET 產品簡介

#### 一、產品簡介

VBsemi的25NM60ND-VB TO247是一款單N-溝道MOSFET，采用了SJ_Multi-EPI技術。該器件具有高漏源電壓和適中的導通電阻，適用于需要高電壓和中等電流處理能力的功率管理應用。

#### 二、詳細參數說明

- **封裝 (Package)**: TO247
- **配置 (Configuration)**: 單N-溝道 (Single-N-Channel)
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 75mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 47A
- **技術 (Technology)**: SJ_Multi-EPI

#### 三、應用領域和模塊舉例

25NM60ND-VB TO247 MOSFET適用于多種領域和模塊，以下是一些具體的應用實例：

1. **電源開關**：由于其高漏源電壓和適中的導通電阻，25NM60ND-VB TO247可用作電源開關，控制高壓電路的通斷，如UPS系統、工業電源等。

2. **電動車控制**：在電動車控制系統中，25NM60ND-VB TO247可用于電動車電源控制，實現高效能量轉換和驅動控制。

3. **工業控制**：在工業控制設備中，25NM60ND-VB TO247可用作功率開關，控制設備的運行和效率。

4. **電焊設備**：在電焊設備中，25NM60ND-VB TO247可用于控制功率開關，實現穩定的焊接過程。

5. **醫療設備**：在需要高電壓和適中電流的醫療設備中，25NM60ND-VB TO247可用于電源開關和控制器件，保證設備的穩定運行和高效能量轉換。

通過結合其技術特點和具體應用，25NM60ND-VB TO247 MOSFET提供了一個高效且可靠的解決方案，滿足了多種現代電子系統的需求。