### 25NM60ND-VB 產品簡介

25NM60ND-VB 是一款高性能的單 N 溝道 MOSFET，采用了 TO220F 封裝。它適用于要求較高電壓和電流的應用，具有優異的導通電阻和漏極電流能力。采用了 SJ_Multi-EPI 技術，具有良好的性能和可靠性，適用于各種電源管理和開關應用。

### 25NM60ND-VB 詳細參數說明

- **封裝類型**: TO220F
- **配置**: 單 N 溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±30V
- **門限電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 160mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 20A
- **技術類型**: SJ_Multi-EPI

### 應用領域和模塊舉例

**電源管理**:
25NM60ND-VB 可用于各種電源管理系統中的開關和功率控制。其高額定電壓和電流能夠滿足高功率電源的需求。

**工業自動化**:
在工業自動化領域，該產品可用于各種工業設備的電源管理和開關。其高性能和可靠性使其成為工業自動化領域的理想選擇。

**電動汽車充電樁**:
在電動汽車充電樁中，該產品可用于高壓開關和電源管理。其高額定電壓和電流確保了電動汽車充電樁的高效率和可靠性。

**太陽能逆變器**:
在太陽能逆變器中，該產品可用于高壓開關和功率控制。其高性能和可靠性使其成為太陽能逆變器的理想選擇。

25NM60ND-VB 通過在多種高壓高性能應用中的廣泛應用，展示了其作為高性能 MOSFET 的優越性能，為工程師提供了一種可靠的解決方案。