### 22N10-VB TO252 MOSFET 產品簡介

#### 一、產品簡介

VBsemi的22N10-VB TO252是一款單N-溝道MOSFET，采用了Trench技術。該器件具有高漏源電壓和適中的導通電阻，適用于需要高電壓和中等電流處理能力的功率管理應用。

#### 二、詳細參數說明

- **封裝 (Package)**: TO252
- **配置 (Configuration)**: 單N-溝道 (Single-N-Channel)
- **漏源電壓 (VDS)**: 100V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.8V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 114mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 15A
- **技術 (Technology)**: Trench

#### 三、應用領域和模塊舉例

22N10-VB TO252 MOSFET適用于多種領域和模塊，以下是一些具體的應用實例：

1. **電源開關**：由于其高漏源電壓和適中的導通電阻，22N10-VB TO252可用作電源開關，控制高壓電路的通斷，如UPS系統、工業電源等。

2. **電動車充電器**：在電動車充電器中，22N10-VB TO252可用作電源開關，實現高效的充電過程控制，同時保證安全性和穩定性。

3. **電焊機**：在高壓高功率設備中，如電焊機，22N10-VB TO252可用于控制功率開關，實現穩定的焊接過程。

4. **LED照明**：在LED照明應用中，22N10-VB TO252可用作LED驅動器的開關器件，提供穩定的電流和高效的能量轉換。

5. **工業控制**：在工業控制系統中，22N10-VB TO252可用作電源開關和驅動器，控制各種類型的負載。

通過結合其技術特點和具體應用，22N10-VB TO252 MOSFET提供了一個高效且可靠的解決方案，滿足了多種現代電子系統的需求。