--- 產品參數 ---
- 封裝 TO247封裝
- 溝道 N-Channel
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 21NM60ND-VB TO247 產品簡介
21NM60ND-VB TO247 是一款高壓高功率單 N-溝道 MOSFET,采用 SJ_Multi-EPI 技術,封裝形式為 TO247。具有較低的導通電阻和較高的漏極電流承載能力,適用于需要高效能量轉換和電流控制的應用。
### 21NM60ND-VB TO247 詳細參數說明
- **封裝**: TO247
- **配置**: 單 N-溝道
- **VDS**: 650V
- **VGS**: ±30V
- **Vth (閾值電壓)**: 3.5V
- **RDS(ON)**: 160mΩ @ VGS = 10V
- **ID (漏極電流)**: 20A
- **技術**: SJ_Multi-EPI

### 21NM60ND-VB TO247 應用領域和模塊示例
1. **電源管理**
- **電力逆變器**: 21NM60ND-VB TO247 可用于電力逆變器中的功率開關,實現對電能的高效轉換和控制。
2. **電機驅動**
- **工業電機驅動**: 在工業電機驅動系統中,21NM60ND-VB TO247 可用于電機控制器,提供高效的電能轉換和精確的速度控制。
3. **電力調節**
- **變壓器調節**: 21NM60ND-VB TO247 可用于變壓器調節系統中的功率開關,實現對電力的精確調節和控制。
4. **電力傳輸**
- **電力輸電系統**: 在電力輸電系統中,21NM60ND-VB TO247 可用于電力開關和控制,確保電力傳輸的穩定和高效。
5. **太陽能逆變器**
- **光伏逆變器**: 在光伏逆變器中,21NM60ND-VB TO247 可用于逆變器的功率開關,實現太陽能電能的高效轉換和利用。
21NM60ND-VB TO247 在電源管理、電機驅動、電力調節、電力傳輸和光伏逆變器等領域展現了其高壓高功率的優勢和可靠性,為各種高功率應用提供了高效能量轉換和電流控制的解決方案。
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