### 21NM60ND-VB TO220F MOSFET 產品簡介

#### 一、產品簡介

VBsemi的21NM60ND-VB TO220F是一款單N-溝道MOSFET，采用了SJ_Multi-EPI技術。該器件具有高漏源電壓和適中的導通電阻，適用于需要高電壓和中等電流處理能力的功率管理應用。

#### 二、詳細參數說明

- **封裝 (Package)**: TO220F
- **配置 (Configuration)**: 單N-溝道 (Single-N-Channel)
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 160mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 20A
- **技術 (Technology)**: SJ_Multi-EPI

#### 三、應用領域和模塊舉例

21NM60ND-VB TO220F MOSFET適用于多種領域和模塊，以下是一些具體的應用實例：

1. **電源開關**：由于其高漏源電壓和適中的導通電阻，21NM60ND-VB TO220F可用作電源開關，控制高壓電路的通斷，如UPS系統、工業電源等。

2. **電動車充電器**：在電動車充電器中，21NM60ND-VB TO220F可用作電源開關，實現高效的充電過程控制，同時保證安全性和穩定性。

3. **電焊機**：在高壓高功率設備中，如電焊機，21NM60ND-VB TO220F可用于控制功率開關，實現穩定的焊接過程。

4. **氣體放電燈**：在氣體放電燈中，21NM60ND-VB TO220F可用作驅動器的開關器件，提供穩定的電流和高效的能量轉換。

5. **醫療設備**：在需要高電壓和適中電流的醫療設備中，21NM60ND-VB TO220F可用于電源開關和控制器件，保證設備的穩定運行和高效能量轉換。

通過結合其技術特點和具體應用，21NM60ND-VB TO220F MOSFET提供了一個高效且可靠的解決方案，滿足了多種現代電子系統的需求。