### 20P02GH-VB 產品簡介
20P02GH-VB 是一款高性能的單 P 溝道 MOSFET，設計用于負載開關和功率管理應用。采用了溝槽技術，具有低導通電阻和高漏極電流能力，適用于各種負載開關和功率管理應用。
### 20P02GH-VB 詳細參數說明
- **封裝類型**: TO252
- **配置**: 單 P 溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: -30V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **門限電壓 (Vth)**: -1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 46mΩ @ VGS=4.5V
- 33mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: -38A
- **技術類型**: Trench
### 應用領域和模塊舉例
**電源管理**:
20P02GH-VB 可用于電源管理系統中的 DC-DC 轉換器和穩壓器。其低導通電阻和高漏極電流能力有助于降低功耗，提高系統效率。
**電池保護**:
在電池保護電路中，該產品可用于電池的過充和過放保護。其高漏極電流和低導通電阻確保了對電池的有效保護。
**醫療設備**:
在醫療設備中，20P02GH-VB 可用于高性能電源管理模塊和電動機控制。其高可靠性和穩定性使其成為醫療設備制造商的理想選擇。
**工業自動化**:
在工業自動化領域，該產品可用于高壓開關和逆變器。其高漏極電流能力和低導通電阻確保了在高負載條件下的穩定性和效率。
20P02GH-VB 通過在多種應用場景中的優異表現，展示了其作為高性能 MOSFET 的優勢，為設計工程師提供了理想的選擇。
