### 20N50H TO3P-VB 產(chǎn)品簡介

20N50H TO3P-VB 是一款高性能的單 N 溝道 MOSFET，設計用于要求高電壓和高電流的應用。采用了 SJ_Multi-EPI 技術(shù)，具有較低的導通電阻和高的漏極電流能力，適用于各種高性能電源管理和開關(guān)應用。

### 20N50H TO3P-VB 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO3P
- **配置**: 單 N 溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 500V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±30V
- **門限電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 210mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 18A
- **技術(shù)類型**: SJ_Multi-EPI

### 應用領(lǐng)域和模塊舉例

**工業(yè)電源**:
20N50H TO3P-VB 適用于工業(yè)電源系統(tǒng)中的高壓開關(guān)和逆變器。其高漏極電流能力和低導通電阻確保了在高負載條件下的穩(wěn)定性和效率。

**電動車充電器**:
在電動車充電器中，該產(chǎn)品可用于開關(guān)電源和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。其高額定電壓和電流能夠滿足電動車充電器對高性能組件的要求。

**太陽能逆變器**:
20N50H TO3P-VB 適用于太陽能逆變器中的高壓開關(guān)。其優(yōu)秀的熱特性和可靠性確保了在各種環(huán)境條件下的穩(wěn)定運行。

**醫(yī)療設備**:
在醫(yī)療設備中，該產(chǎn)品可用于高性能電源管理模塊和電動機控制。其高可靠性和穩(wěn)定性使其成為醫(yī)療設備制造商的理想選擇。

20N50H TO3P-VB 通過在各種高壓高性能應用中的廣泛應用，展示了其作為高性能 MOSFET 的優(yōu)越性能，為工程師提供了一種可靠的解決方案。