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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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2030M-VB一種N+P-Channel溝道SOP8封裝MOS管

型號(hào): 2030M-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOP8封裝
  • 溝道 N+P-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

VBsemi的200N4F3-VB是一款單N溝道場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET),具有40V的漏極-源極電壓(VDS)和20V的門(mén)極-源極電壓(VGS)。該器件采用Trench技術(shù)制造,具有優(yōu)異的性能和可靠性。它的漏極-源極導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為15mΩ(在VGS=4.5V時(shí))和2mΩ(在VGS=10V時(shí)),最大漏極電流(ID)為180A。這使得200N4F3-VB適用于高功率、高頻率應(yīng)用,如電源開(kāi)關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **Package**:TO220
- **Configuration**:Single-N-Channel
- **VDS**:40V
- **VGS**:20V(±)
- **Vth**:3V
- **RDS(ON)**:15mΩ @ VGS=4.5V;2mΩ @ VGS=10V
- **ID**:180A


- **Technology**:Trench

### 適用領(lǐng)域和模塊示例

200N4F3-VB適用于高功率、高頻率應(yīng)用,包括但不限于:

1. **電源開(kāi)關(guān)**:由于其低漏極-源極導(dǎo)通電阻和高功率特性,200N4F3-VB可用于高功率電源開(kāi)關(guān),如服務(wù)器電源、電源放大器等。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)器**:在需要高功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的應(yīng)用中,如工業(yè)機(jī)械、電動(dòng)汽車等,200N4F3-VB可以實(shí)現(xiàn)高效的電機(jī)控制。

3. **電動(dòng)工具**:在需要高功率、高效率的電動(dòng)工具中,200N4F3-VB可以用作電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的開(kāi)關(guān)器件,提供高效的能量轉(zhuǎn)換。

4. **電源放大器**:由于其高功率特性,200N4F3-VB適用于音響設(shè)備、汽車音響等需要高功率放大器的應(yīng)用。

總之,200N4F3-VB是一款高功率、高頻率應(yīng)用的MOSFET,適用于各種高功率領(lǐng)域和模塊。

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