### 產品簡介：
VBsemi的200N6F3-VB-VB是一款單N溝道MOSFET，具有高性能和可靠性。采用Trench技術，適用于各種領域和模塊的高功率應用。
### 詳細參數說明：
- **包裝**：TO262
- **結構**：單N溝道
- **漏極-源極電壓（VDS）**：60V
- **柵極-源極電壓（VGS）**：±20V
- **閾值電壓（Vth）**：3.5V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：2.8mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流（ID）**：210A
- **技術**：Trench
### 應用示例：
1. **電源模塊**：由于其高漏極電流和低導通電阻，200N6F3-VB-VB適用于高功率電源模塊，如開關電源和逆變器。
2. **電動車輛**：在電動汽車和電動自行車中，這款MOSFET可以用于電機驅動，提供高效率的能量轉換。
3. **工業設備**：在工業控制和自動化設備中，這款MOSFET可以用于功率放大和控制，提高設備的效率和可靠性。
4. **電源管理**：在需要高功率管理的應用中，這款MOSFET可以用于穩壓器和電源開關，實現高效的電能轉換。
5. **UPS系統**：在不間斷電源系統中，這款MOSFET可以用于控制電能轉換和提供穩定的電力輸出。
以上是200N6F3-VB-VB的產品簡介、詳細參數說明和應用示例。
