### 產(chǎn)品簡介：

VBsemi的200N4F3-VB是一款單N溝道MOSFET，具有40V的漏極-源極電壓（VDS），20V的柵極-源極電壓（VGS），和3V的閾值電壓（Vth）。它采用了Trench技術(shù)，具有出色的性能和可靠性。這款MOSFET的RDS(ON)為2.5mΩ@VGS=4.5V和2mΩ@VGS=10V，ID為150A，適用于高功率應(yīng)用場合。

### 參數(shù)說明：

- **型號：** 200N4F3-VB
- **包裝：** TO263
- **配置：** 單N溝道
- **VDS（漏極-源極電壓）：** 40V
- **VGS（柵極-源極電壓）：** 20V（±）
- **閾值電壓（Vth）：** 3V
- **RDS(ON)（@ VGS=4.5V）：** 2.5mΩ
- **RDS(ON)（@ VGS=10V）：** 2mΩ
- **ID（漏極電流）：** 150A
- **技術(shù)：** Trench

### 適用領(lǐng)域和模塊：

由于200N4F3-VB的高功率特性，適用于一些高功率場合，例如：

1. **電源模塊：** 200N4F3-VB可以用于開關(guān)電源模塊，提供高效率和可靠性。
2. **電動(dòng)汽車控制：** 在電動(dòng)汽車的電機(jī)控制器中，這款MOSFET可以用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，實(shí)現(xiàn)高效率的電機(jī)控制。
3. **工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)：** 在工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中，200N4F3-VB可以用作電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的開關(guān)元件，實(shí)現(xiàn)高效率的驅(qū)動(dòng)控制。

這些是200N4F3-VB MOSFET的一些應(yīng)用領(lǐng)域示例，由于其高功率特性，適用范圍相對較廣，可以用于許多需要高功率開關(guān)控制的領(lǐng)域和模塊。