### 產品簡介

200N15N-VB是一款單路N溝道場效應管（MOSFET），采用槽溝道技術，具有高達150V的漏極-源極電壓（VDS）和128A的漏極電流（ID）能力。該器件采用TO263封裝，適用于多種領域和模塊，提供高性能的功率控制。

### 參數說明

- **型號:** 200N15N-VB TO263
- **封裝:** TO263
- **構造:** 單N溝道
- **VDS (漏極-源極電壓):** 150V
- **VGS (柵極-源極電壓):** ±20V
- **Vth (閾值電壓):** 3V
- **RDS(ON) (導通電阻):** 7.5mΩ @ VGS=10V
- **ID (漏極電流):** 128A

- **技術:** 槽溝道

### 應用領域和模塊示例

1. **電源逆變器:** 由于其高漏極電流和低導通電阻特性，這款MOSFET可用于高性能電源逆變器中的功率開關電路，如太陽能逆變器、UPS系統等。

2. **電動汽車充電樁:** 在電動汽車充電樁中的功率開關電路中，200N15N-VB可確保高效率和可靠性的充電過程。

3. **工業電源:** 在需要高功率密度和高效能量轉換的工業電源中，這款MOSFET可用于開關電源和DC-DC轉換器等。

4. **電機控制:** 在需要高電流和低電壓降的電機控制系統中，200N15N-VB可用于驅動電機和控制電機速度的應用。

5. **電池管理:** 在需要高功率和低功率損耗的電池管理系統中，這款MOSFET可用于保護電池和控制充放電過程。

以上是一些200N15N-VB可應用的領域和模塊示例，但并不局限于此，具體應用取決于設計要求和系統需求。