**產(chǎn)品簡介：**
VBsemi的1N90L-TF1-T-VB是一款TO220F封裝的單N溝道MOSFET。它具有950V的漏極-源極電壓（VDS）和30V的門極-源極電壓（VGS）。采用了平面技術(shù)，具有優(yōu)異的性能和可靠性，適用于中高壓應(yīng)用場合。

**詳細(xì)參數(shù)：**
- 封裝：TO220F
- 構(gòu)型：單N溝道
- VDS（漏極-源極電壓）：950V
- VGS（門極-源極電壓）：±30V
- Vth（閾值電壓）：3.5V
- RDS(ON)（導(dǎo)通電阻）：5400mΩ@VGS=10V
- ID（漏極電流）：3A
- 技術(shù)：平面

**適用領(lǐng)域和模塊示例：**
- **電源逆變器**：1N90L-TF1-T-VB適用于中高壓逆變器中的功率開關(guān)，提供可靠的功率轉(zhuǎn)換和管理。
- **工業(yè)控制**：可用于工業(yè)控制系統(tǒng)中的電源開關(guān)模塊，提供高效的電源轉(zhuǎn)換和管理。
- **電力傳輸**：適用于電力傳輸系統(tǒng)中的功率開關(guān)模塊，提供可靠的電力傳輸和控制。
- **LED照明**：1N90L-TF1-T-VB可以用于LED照明系統(tǒng)中的功率開關(guān)，實(shí)現(xiàn)高效的LED光源控制和調(diào)節(jié)。

以上是對1N90L-TF1-T-VB的產(chǎn)品簡介、詳細(xì)參數(shù)說明以及適用領(lǐng)域和模塊的語段形式舉例說明。