### 產(chǎn)品簡介：

VBsemi的1N90G-TA3-T-VB是一款單N溝道MOSFET，具有高耐壓和低導通電阻。采用SJ_Multi-EPI技術，適用于各種領域和模塊的高性能應用。

### 詳細參數(shù)說明：

- **包裝**：TO220
- **結構**：單N溝道
- **漏極-源極電壓（VDS）**：900V
- **柵極-源極電壓（VGS）**：±30V
- **閾值電壓（Vth）**：3.5V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：1500mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流（ID）**：5A
- **技術**：SJ_Multi-EPI

### 應用示例：

1. **電源模塊**：由于其高耐壓和低導通電阻，1N90G-TA3-T-VB適用于高功率電源模塊，能夠提供穩(wěn)定的電能轉換。

2. **工業(yè)控制**：在工業(yè)控制設備中，這款MOSFET可以用于開關電源和電機驅動，提高系統(tǒng)的效率和可靠性。

3. **電動汽車充電器**：在電動汽車充電器中，這款MOSFET可以用于高效率的電能轉換，提高充電速度。

4. **太陽能逆變器**：在太陽能電池系統(tǒng)中，這款MOSFET能夠承受高壓，適用于逆變器和電能調節(jié)模塊。

5. **高壓開關**：由于其高耐壓特性，這款MOSFET可以用作高壓開關，用于各種高壓應用場景。

以上是1N90G-TA3-T-VB的產(chǎn)品簡介、詳細參數(shù)說明和應用示例。