VBsemi 1N60-VB TO251 MOSFET產品簡介：
1N60-VB TO251是一款單N溝道場效應管，具有650V的漏極-源極電壓（VDS），30V的柵極-源極電壓（VGS）（±V），3.5V的閾值電壓（Vth），4300mΩ@VGS=10V的導通電阻（RDS(ON)），以及2A的漏極電流（ID）。采用了平面技術（Plannar Technology）。
詳細參數說明：
- 封裝：TO251
- 類型：單N溝道（Single-N-Channel）
- VDS（漏極-源極電壓）：650V
- VGS（柵極-源極電壓）：30V（±V）
- 閾值電壓（Vth）：3.5V
- 導通電阻（RDS(ON)）：4300mΩ@VGS=10V
- 漏極電流（ID）：2A
- 技術：平面技術（Plannar）
適用領域和模塊示例：
1. 電源模塊：1N60-VB TO251適用于低功率電源模塊，如開關電源和逆變器設計。
2. 照明應用：可用于LED驅動器和照明系統，實現高效能量轉換和亮度控制。
3. 汽車電子：適用于汽車電子模塊，如車載電源管理器和車燈控制器。
4. 工業控制：在工業自動化和機器人領域，該器件可用于低功率開關電路和傳感器接口設計。
5. 太陽能逆變器：用于太陽能逆變器模塊，實現太陽能電池板的能量轉換和管理。
這些是1N60-VB TO251 MOSFET在各個領域和模塊上的一些示例應用。
