### 產品簡介：
VBsemi 1N50L-TA3-T-VB是一款單N溝道功率MOSFET，具有650V的漏極-源極電壓（VDS）和30V的最大門極-源極電壓（VGS）。采用Plannar技術，適用于低功率電子應用。

### 詳細參數說明：
- **封裝：** TO220
- **器件類型：** 單N溝道MOSFET
- **漏極-源極電壓（VDS）：** 650V
- **最大門極-源極電壓（VGS）：** ±30V
- **閾值電壓（Vth）：** 3.5V
- **漏極-源極導通電阻（RDS(ON)）：**
 - VGS = 4.5V時：3900mΩ
 - VGS = 10V時：3120mΩ
- **漏極電流（ID）：** 2A
- **技術：** Plannar

### 應用領域和模塊示例：
1. **低功率開關電源：** 1N50L-TA3-T-VB適用于低功率開關電源和直流-直流轉換器，在一些低功率應用場合具有經濟性和實用性。
2. **照明控制器：** 在LED照明系統中，這款MOSFET可用于開關控制器，實現照明系統的高效能量轉換。
3. **工業控制系統：** 1N50L-TA3-T-VB可用于工業控制系統中的低功率開關器件，提供可靠的電力控制。
4. **汽車電子：** 在汽車電子領域，這款MOSFET可以用于車載直流-直流轉換器和車燈控制器，提供高效的能量轉換和電力控制。

以上示例說明了1N50L-TA3-T-VB MOSFET在低功率應用中的潛在應用領域，展示了其在各種場景中的實際應用價值。