### 產品簡介
VBsemi的19NM65N-VB是一款單N溝道場效應管（MOSFET），具有650V的漏極-源極電壓（VDS）和30V的門極-源極電壓（VGS）。該器件采用SJ_Multi-EPI技術制造，具有優異的性能和可靠性。它的漏極-源極導通電阻（RDS(ON)）為300mΩ（在VGS=10V時），最大漏極電流（ID）為15A。這使得19NM65N-VB非常適合中高壓應用，如電源管理、電機驅動器和其他需要高性能MOSFET的領域。
### 詳細參數說明
- **Package**：TO247
- **Configuration**：Single-N-Channel
- **VDS**：650V
- **VGS**：30V（±）
- **Vth**：3.5V
- **RDS(ON)**：300mΩ @ VGS=10V
- **ID**：15A
- **Technology**：SJ_Multi-EPI
### 適用領域和模塊示例
19NM65N-VB適用于各種中高壓、高性能MOSFET的應用，包括但不限于：
1. **電源管理**：由于其中高壓特性，19NM65N-VB可用于開關電源、電源逆變器和電源轉換器等中高壓電源管理系統中，提供高效率和可靠性。
2. **電機驅動器**：在需要中高壓電機驅動器的應用中，如工業機械、電動汽車等，19NM65N-VB可以實現高效的電機控制。
3. **充電樁**：在需要中高壓充電樁的應用中，19NM65N-VB可用于實現高效的充電控制和管理。
4. **工業控制**：在需要控制中高壓電壓和電流的工業控制系統中，19NM65N-VB可以用作開關器件，實現高效的能量轉換和控制。
5. **照明應用**：由于其高性能和可靠性，19NM65N-VB適用于LED照明驅動器和其他中高壓照明應用。
總之，19NM65N-VB是一款功能強大、可靠性高的中高壓MOSFET，適用于各種中高壓應用領域和模塊。
