VBsemi 19NM65N-VB TO220 MOSFET產(chǎn)品簡介：

19NM65N-VB TO220是一款單N溝道場效應(yīng)管，具有650V的漏極-源極電壓（VDS），30V的柵極-源極電壓（VGS）（±V），3.5V的閾值電壓（Vth），160mΩ@VGS=10V的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)），以及20A的漏極電流（ID）。采用了SJ_Multi-EPI技術(shù)。

詳細參數(shù)說明：
- 封裝：TO220
- 類型：單N溝道（Single-N-Channel）
- VDS（漏極-源極電壓）：650V
- VGS（柵極-源極電壓）：30V（±V）
- 閾值電壓（Vth）：3.5V
- 導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：160mΩ@VGS=10V
- 漏極電流（ID）：20A
- 技術(shù)：SJ_Multi-EPI

適用領(lǐng)域和模塊示例：
1. 電源模塊：19NM65N-VB TO220適用于中功率電源模塊，如開關(guān)電源和逆變器設(shè)計。
2. 照明應(yīng)用：可用于LED驅(qū)動器和照明系統(tǒng)，實現(xiàn)高效能量轉(zhuǎn)換和亮度控制。
3. 汽車電子：適用于汽車電子模塊，如電動汽車充電器和車載電源管理器。
4. 工業(yè)控制：在工業(yè)自動化和機器人領(lǐng)域，該器件可用于中功率開關(guān)電路和電機控制器設(shè)計。
5. 太陽能逆變器：用于太陽能逆變器模塊，實現(xiàn)太陽能電池板的能量轉(zhuǎn)換和管理。

這些是19NM65N-VB TO220 MOSFET在各個領(lǐng)域和模塊上的一些示例應(yīng)用。