**產品簡介：**
VBsemi的19NM50N-VB是一款TO247封裝的單N溝道MOSFET。它具有500V的漏極-源極電壓（VDS）和30V的門極-源極電壓（VGS）。采用了SJ_Multi-EPI技術，具有優異的性能和可靠性，適用于中高壓應用場合。

**詳細參數：**
- 封裝：TO247
- 構型：單N溝道
- VDS（漏極-源極電壓）：500V
- VGS（門極-源極電壓）：±30V
- Vth（閾值電壓）：3.8V
- RDS(ON)（導通電阻）：80mΩ@VGS=10V
- ID（漏極電流）：40A
- 技術：SJ_Multi-EPI

**適用領域和模塊示例：**
- **電源逆變器**：19NM50N-VB適用于中高壓逆變器中的功率開關，提供可靠的功率轉換和管理。
- **工業控制**：可用于工業控制系統中的電源開關模塊，提供高效的電源轉換和管理。
- **電力傳輸**：適用于電力傳輸系統中的功率開關模塊，提供可靠的電力傳輸和控制。
- **LED照明**：19NM50N-VB可以用于LED照明系統中的功率開關，實現高效的LED光源控制和調節。

以上是對19NM50N-VB的產品簡介、詳細參數說明以及適用領域和模塊的語段形式舉例說明。