VBsemi 19N10VL-TN3-T-VB TO252 MOSFET產品簡介：

VBsemi的19N10VL-TN3-T-VB TO252是一款TO252封裝的單通道N溝道MOSFET。該產品具有100V的漏極-源極電壓（VDS），20V的柵極-源極電壓（VGS，±V），1.8V的閾值電壓（Vth），57mΩ的導通電阻（RDS(ON)）@VGS=4.5V和55mΩ的導通電阻（RDS(ON)）@VGS=10V，以及25A的漏極電流（ID）。采用Trench技術。

19N10VL-TN3-T-VB TO252詳細參數說明：

- 封裝：TO252
- 類型：單通道N溝道
- VDS（漏極-源極電壓）：100V
- VGS（柵極-源極電壓）：20V（±V）
- 閾值電壓（Vth）：1.8V
- 導通電阻（RDS(ON)）：57mΩ @ VGS=4.5V，55mΩ @ VGS=10V
- 漏極電流（ID）：25A
- 技術：Trench

產品應用領域和模塊示例：

1. 電源管理模塊：19N10VL-TN3-T-VB TO252適用于需要高電壓和高電流的電源管理模塊中的功率開關電路。

2. 汽車電子系統：在汽車電子系統中，19N10VL-TN3-T-VB TO252可以用于驅動電動機和其他功率控制應用，提高系統效率。

3. 工業控制系統：在需要高電壓和高電流的工業控制系統中，19N10VL-TN3-T-VB TO252可以提供穩定可靠的性能。

4. 電源適配器：由于19N10VL-TN3-T-VB TO252具有較低的導通電阻和高的漏極電流，適用于電源適配器中的功率開關電路，提高能源轉換效率。

以上是關于VBsemi 19N10VL-TN3-T-VB TO252 MOSFET的產品簡介、詳細參數說明以及在不同領域和模塊中的應用示例。