**產品簡介：**
19N10VL-TN3-R-VB MOSFET是一款單N溝道功率MOSFET，具有100V的漏極-源極電壓（VDS），20V的柵極-源極電壓（VGS，±V），和1.8V的閾值電壓（Vth）。該器件采用了Trench技術，具有良好的導通特性和低導通電阻，適用于中高壓應用場合。
**詳細參數：**
- **VDS（漏極-源極電壓）:** 100V
- **VGS（柵極-源極電壓）:** 20V（±V）
- **閾值電壓（Vth）:** 1.8V
- **導通電阻（RDS(ON)）:**
- 57mΩ @ VGS=4.5V
- 55mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流（ID）:** 25A
- **封裝:** TO252
- **技術:** Trench
**適用領域和模塊：**
19N10VL-TN3-R-VB適用于各種領域和模塊，包括但不限于：
1. **電源供應模塊：** 用于開關電源、逆變器和穩壓器等模塊中，以提供高效的電能轉換和控制。
2. **電機控制：** 用于電動汽車、工業機械和家用電器等領域中，以實現高效的電機控制和驅動。
3. **照明應用：** 用于LED照明、室內照明和汽車照明等場合中，以提供高效、可靠的照明解決方案。
4. **電池管理：** 用于鋰電池管理系統、充電器等模塊中，以實現高效的電池管理和充電控制。
總的來說，19N10VL-TN3-R-VB MOSFET是一款性能優良、適用廣泛的功率器件，適合各種中高壓應用領域和模塊。
