### 產(chǎn)品簡介

VBsemi的19N10L-TM3-T-VB是一款單N溝道場效應(yīng)管（MOSFET），具有100V的漏極-源極電壓（VDS）和20V的門極-源極電壓（VGS）。該器件采用Trench技術(shù)制造，具有優(yōu)異的性能和可靠性。它的漏極-源極導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為110mΩ（在VGS=10V時），最大漏極電流（ID）為15A。這使得19N10L-TM3-T-VB非常適合低中壓應(yīng)用，如電源管理、電機(jī)驅(qū)動器和其他需要高性能MOSFET的領(lǐng)域。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **Package**：TO251
- **Configuration**：Single-N-Channel
- **VDS**：100V
- **VGS**：20V（±）
- **Vth**：1.8V
- **RDS(ON)**：110mΩ @ VGS=10V
- **ID**：15A
- **Technology**：Trench

### 適用領(lǐng)域和模塊示例

19N10L-TM3-T-VB適用于各種低中壓、高性能MOSFET的應(yīng)用，包括但不限于：

1. **電源管理**：由于其低中壓特性，19N10L-TM3-T-VB可用于開關(guān)電源、電源逆變器和電源轉(zhuǎn)換器等低中壓電源管理系統(tǒng)中，提供高效率和可靠性。

2. **電機(jī)驅(qū)動器**：在需要低中壓電機(jī)驅(qū)動器的應(yīng)用中，如工業(yè)機(jī)械、家用電器等，19N10L-TM3-T-VB可以實(shí)現(xiàn)高效的電機(jī)控制。

3. **消費(fèi)電子**：在需要高性能、低中壓MOSFET的消費(fèi)電子產(chǎn)品中，19N10L-TM3-T-VB可以用于電源管理、DC-DC轉(zhuǎn)換器等模塊。

4. **LED照明**：由于其高性能和可靠性，19N10L-TM3-T-VB適用于LED照明驅(qū)動器和其他低中壓照明應(yīng)用。

5. **汽車電子**：在汽車電子系統(tǒng)中，19N10L-TM3-T-VB可用于電動汽車充電樁、DC-DC轉(zhuǎn)換器和其他低中壓應(yīng)用。

總之，19N10L-TM3-T-VB是一款功能強(qiáng)大、可靠性高的低中壓MOSFET，適用于各種低中壓應(yīng)用領(lǐng)域和模塊。