### 產品簡介：

VBsemi的18P10GH-VB是一款單P溝道MOSFET，具有高性能和可靠性。采用槽道技術，適用于各種領域和模塊的應用。

### 詳細參數說明：

- **包裝**：TO252
- **結構**：單P溝道
- **漏極-源極電壓（VDS）**：-100V
- **柵極-源極電壓（VGS）**：±20V
- **閾值電壓（Vth）**：-2V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：120mΩ @ VGS=4.5V；100mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流（ID）**：-16A
- **技術**：槽道

### 應用示例：

1. **電源模塊**：由于其高導通電阻和高漏極電流，18P10GH-VB適用于低功率電源模塊，能夠提供穩定的電能轉換。

2. **LED驅動器**：在LED照明應用中，這款MOSFET可以用作驅動器，提供穩定的電流輸出。

3. **電池管理系統**：在電池管理系統中，這款MOSFET可以用于充放電控制，實現電池的高效管理。

4. **汽車電子**：由于其高漏極電流和高壓特性，這款MOSFET適用于汽車電子模塊，如車燈控制和電動汽車控制器。

5. **工業控制**：在工業控制設備中，這款MOSFET可以用于開關電源和電機驅動，提高系統的效率和可靠性。

以上是18P10GH-VB的產品簡介、詳細參數說明和應用示例。