### 產品簡介
VBsemi的18NM80-VB是一款單N溝道場效應管（MOSFET），具有800V的漏極-源極電壓（VDS）和30V的門極-源極電壓（VGS）。該器件采用SJ_Multi-EPI技術制造，具有優異的性能和可靠性。它的漏極-源極導通電阻（RDS(ON)）為160mΩ（在VGS=10V時），最大漏極電流（ID）為20A。這使得18NM80-VB非常適合高壓應用，如電源管理、電機驅動器和其他需要高性能MOSFET的領域。
### 詳細參數說明
- **Package**：TO263
- **Configuration**：Single-N-Channel
- **VDS**：800V
- **VGS**：30V（±）
- **Vth**：3.5V
- **RDS(ON)**：160mΩ @ VGS=10V
- **ID**：20A
- **Technology**：SJ_Multi-EPI
### 適用領域和模塊示例
18NM80-VB適用于各種需要高壓、高性能MOSFET的應用，包括但不限于：
1. **電源管理**：18NM80-VB的高漏極-源極電壓和低導通電阻使其非常適合用于開關電源、電源逆變器和電源轉換器等高壓電源管理系統中。
2. **電機驅動器**：18NM80-VB可用于電動汽車、工業機械和家用電器等領域的高壓電機驅動器，其能夠提供高效率和可靠性。
3. **工業控制**：在需要控制高電壓和電流的工業控制系統中，18NM80-VB可以用作開關器件，以實現高效的能量轉換。
4. **電池管理**：由于其高壓特性，18NM80-VB也可以用于電池管理系統中，以實現對高壓電池組的高效充放電控制。
5. **光伏逆變器**：在光伏逆變器中，18NM80-VB可用于實現太陽能電池板產生的直流電到交流電的轉換，具有高效率和穩定性。
總之，18NM80-VB是一款功能強大、可靠性高的高壓MOSFET，適用于各種高壓應用領域和模塊。
