### 產品簡介
18NM80-VB是一款單路N溝道場效應管（MOSFET），采用SJ_Multi-EPI技術，具有高達800V的漏極-源極電壓（VDS）和20A的漏極電流（ID）能力。該器件采用TO247封裝，適用于多種領域和模塊，提供可靠的性能和高效的功率控制。
### 參數說明
- **型號:** 18NM80-VB TO247
- **封裝:** TO247
- **構造:** 單N溝道
- **VDS (漏極-源極電壓):** 800V
- **VGS (柵極-源極電壓):** ±30V
- **Vth (閾值電壓):** 3.5V
- **RDS(ON) (導通電阻):** 220mΩ @ VGS=10V
- **ID (漏極電流):** 20A
- **技術:** SJ_Multi-EPI
### 應用領域和模塊示例
1. **電動車充電樁:** 這款MOSFET適用于電動車充電樁中的功率開關電路，確保高效率和可靠性的充電過程。
2. **工業電源:** 在工業領域中，18NM80-VB可用于高壓和高電流的工業電源系統，如電焊機、電爐和工業自動化設備。
3. **電力傳輸:** 由于其高電壓特性，這款MOSFET可用于電力傳輸系統中的功率開關電路，提高系統的效率和可靠性。
4. **醫療設備:** 在需要高電壓和高電流的醫療設備中，18NM80-VB可用于X射線機、核磁共振設備等應用。
5. **光伏逆變器:** 在太陽能光伏逆變器中，這款MOSFET可用于將太陽能轉換為可用電能，提供高效的能量轉換。
以上是一些18NM80-VB可應用的領域和模塊示例，但并不局限于此，具體應用取決于設計要求和系統需求。
