VBsemi 18NM60N-VB TO220F MOSFET產品簡介：

VBsemi的18NM60N-VB TO220F是一款TO220F封裝的單通道N溝道MOSFET。該產品具有650V的漏極-源極電壓（VDS），30V的柵極-源極電壓（VGS，±V），3.5V的閾值電壓（Vth），160mΩ的導通電阻（RDS(ON)）@VGS=10V，以及20A的漏極電流（ID）。采用SJ_Multi-EPI技術。

18NM60N-VB TO220F詳細參數說明：

- 封裝：TO220F
- 類型：單通道N溝道
- VDS（漏極-源極電壓）：650V
- VGS（柵極-源極電壓）：30V（±V）
- 閾值電壓（Vth）：3.5V
- 導通電阻（RDS(ON)）：160mΩ @ VGS=10V
- 漏極電流（ID）：20A
- 技術：SJ_Multi-EPI

產品應用領域和模塊示例：

1. 電源適配器：18NM60N-VB TO220F適用于電源適配器中的開關電源電路，可以實現高效率的能量轉換。

2. 電動汽車充電樁：由于18NM60N-VB TO220F具有較低的導通電阻和高的漏極電流，可用于電動汽車充電樁中的功率開關電路，提高充電效率。

3. 工業控制系統：在需要高電壓和高電流的工業控制系統中，18NM60N-VB TO220F可以提供穩定可靠的性能。

4. LED照明驅動：18NM60N-VB TO220F的高電壓和電流特性適合用于LED照明驅動電路，確保LED燈具的穩定工作。

以上是關于VBsemi 18NM60N-VB TO220F MOSFET的產品簡介、詳細參數說明以及在不同領域和模塊中的應用示例。