### 產品簡介
VBsemi的18N6L-VB是一款單N溝道場效應管（MOSFET），具有60V的漏極-源極電壓（VDS）和20V的門極-源極電壓（VGS）。該器件采用Trench技術制造，具有優異的性能和可靠性。它的漏極-源極導通電阻（RDS(ON)）為30mΩ（在VGS=4.5V時）和25mΩ（在VGS=10V時），最大漏極電流（ID）為45A。這使得18N6L-VB非常適合低壓應用，如電源管理、電機驅動器和其他需要高性能MOSFET的領域。
### 詳細參數說明
- **Package**：TO252
- **Configuration**：Single-N-Channel
- **VDS**：60V
- **VGS**：20V（±）
- **Vth**：1.7V
- **RDS(ON)**：30mΩ @ VGS=4.5V；25mΩ @ VGS=10V
- **ID**：45A
- **Technology**：Trench
### 適用領域和模塊示例
18N6L-VB適用于各種低壓、高性能MOSFET的應用，包括但不限于：
1. **電源管理**：18N6L-VB的低漏極-源極電壓和低導通電阻使其非常適合用于開關電源、電源逆變器和電源轉換器等低壓電源管理系統中。
2. **電機驅動器**：18N6L-VB可用于電動汽車、工業機械和家用電器等領域的低壓電機驅動器，其能夠提供高效率和可靠性。
3. **照明應用**：由于其低漏極-源極電壓和低導通電阻，18N6L-VB適用于LED照明驅動器和其他低壓照明應用。
4. **消費電子**：在需要高性能、低壓MOSFET的消費電子產品中，18N6L-VB可以用于電源管理、DC-DC轉換器等模塊。
5. **電池管理**：18N6L-VB也可以用于電池管理系統中，以實現對電池的高效充放電控制。
總之，18N6L-VB是一款功能強大、可靠性高的低壓MOSFET，適用于各種低壓應用領域和模塊。
