VBsemi 18N65M5-VB TO220F MOSFET產品簡介：

18N65M5-VB TO220F是一款單N溝道場效應管，具有650V的漏極-源極電壓（VDS），30V的柵極-源極電壓（VGS）（±V），3.5V的閾值電壓（Vth），160mΩ@VGS=10V的導通電阻（RDS(ON)），以及20A的漏極電流（ID）。采用了SJ_Multi-EPI技術。

詳細參數說明：
- 封裝：TO220F
- 類型：單N溝道（Single-N-Channel）
- VDS（漏極-源極電壓）：650V
- VGS（柵極-源極電壓）：30V（±V）
- 閾值電壓（Vth）：3.5V
- 導通電阻（RDS(ON)）：160mΩ@VGS=10V
- 漏極電流（ID）：20A
- 技術：SJ_Multi-EPI

適用領域和模塊示例：
1. 電源模塊：18N65M5-VB TO220F適用于高壓電源模塊，如開關電源和逆變器設計。
2. 照明應用：可用于LED驅動器和照明系統，實現高效能量轉換和亮度控制。
3. 汽車電子：適用于汽車電子模塊，如電動汽車充電器和車載電源管理器。
4. 工業控制：在工業自動化和機器人領域，該器件可用于高壓開關電路和電機控制器設計。
5. 太陽能逆變器：用于太陽能逆變器模塊，實現太陽能電池板的能量轉換和管理。

這些是18N65M5-VB TO220F MOSFET在各個領域和模塊上的一些示例應用。