### 產品簡介：

VBsemi的18N55M5-VB是一款單N溝道MOSFET，具有650V的漏極-源極電壓（VDS），30V的柵極-源極電壓（VGS），和3.5V的閾值電壓（Vth）。它采用了SJ_Multi-EPI技術，具有出色的性能和可靠性。這款MOSFET的RDS(ON)為160mΩ@VGS=10V，ID為20A，適用于多種領域和模塊。

### 參數說明：

- **型號：** 18N55M5-VB
- **包裝：** TO220
- **配置：** 單N溝道
- **VDS（漏極-源極電壓）：** 650V
- **VGS（柵極-源極電壓）：** 30V（±）
- **閾值電壓（Vth）：** 3.5V
- **RDS(ON)：** 160mΩ @ VGS=10V
- **ID（漏極電流）：** 20A
- **技術：** SJ_Multi-EPI

### 適用領域和模塊：

1. **電源模塊：** 18N55M5-VB可以用于開關電源模塊，提供高效率和可靠性。
2. **電動汽車充電器：** 由于其高漏極-源極電壓和低導通電阻，這款MOSFET適用于電動汽車充電器，可實現高效率的充電。
3. **工業電機驅動器：** 在工業電機驅動器中，這款MOSFET可以提供可靠的開關控制和低損耗。
4. **太陽能逆變器：** 18N55M5-VB的高電壓和低導通電阻使其成為太陽能逆變器的理想選擇，可提高太陽能電池板的轉換效率。

這些是18N55M5-VB MOSFET的一些應用領域示例，但并不局限于此，它還可以用于許多其他領域和模塊，以滿足各種電源和控制需求。