### 產品簡介：

VBsemi的18N50G-TF1-T-VB是一款單N溝道MOSFET，具有高耐壓和低導通電阻。采用SJ_Multi-EPI技術，適用于各種領域和模塊的高性能應用。

### 詳細參數說明：

- **包裝**：TO220F
- **結構**：單N溝道
- **漏極-源極電壓（VDS）**：650V
- **柵極-源極電壓（VGS）**：±30V
- **閾值電壓（Vth）**：3.5V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：160mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流（ID）**：20A
- **技術**：SJ_Multi-EPI

### 應用示例：

1. **電源逆變器**：由于其高耐壓特性，18N50G-TF1-T-VB適用于電力電子設備中的逆變器模塊，能夠提供穩定的電力轉換。

2. **充電樁**：在充電樁中，這款MOSFET可以用作開關管，實現電能的快速控制和轉換。

3. **太陽能逆變器**：在太陽能電池系統中，這款MOSFET能夠承受較高的工作電壓，適用于逆變器和電能調節模塊。

4. **電動汽車充電器**：在電動汽車充電器中，這款MOSFET可以用于高效率的電能轉換，提高充電速度。

5. **工業電源**：在工業電源設備中，這款MOSFET可以用于開關電源和UPS系統，提供穩定可靠的電力輸出。

以上是18N50G-TF1-T-VB的產品簡介、詳細參數說明和應用示例。