### 產品簡介

VBsemi 180P3N-VB 是一款高性能的單P溝道金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET），采用溝槽技術設計，適用于需要負載開關的高性能應用。

### 詳細參數說明

- **型號**: 180P3N-VB
- **封裝**: DFN8(3X3)
- **配置**: 單P溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: -30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: -2.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 18mΩ @ VGS=4.5V
 - 11mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: -45A
- **技術**: 溝槽型

### 應用領域和模塊

#### 電源管理
180P3N-VB MOSFET 可用于負載開關和電源管理，適用于便攜式設備、工業電子和汽車電子等領域。其高漏極電流和低導通電阻有助于提高系統的效率和穩定性。

#### 電池管理
在電池管理系統中，180P3N-VB 可用于充放電控制和電池保護。其高電流處理能力和低導通電阻使其成為電池管理系統的理想選擇。

#### 汽車電子
180P3N-VB 適用于汽車電子中的負載開關和電池管理。其高可靠性和穩定性使其能夠應對汽車環境中的各種挑戰。

#### 工業控制
在工業控制系統中，180P3N-VB 可用于電機驅動器、繼電器和工業自動化控制。其高電流能力和低導通電阻有助于提高設備的性能和穩定性。

總之，VBsemi 180P3N-VB MOSFET 適用于各種負載開關和電源管理應用，具有高性能和穩定性，是電子設備、工業控制和汽車電子等領域的理想選擇。