### 產品簡介

VBsemi 17N80C3-VB TO220F 是一款高性能的單N溝道金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET），采用SJ_Multi-EPI 技術，具有高電壓耐受和低導通電阻的特性，適用于高功率應用。

### 詳細參數說明

- **型號**: 17N80C3-VB
- **封裝**: TO220F
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 800V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 205mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 20A
- **技術**: SJ_Multi-EPI

### 應用領域和模塊

#### 電源管理
17N80C3-VB TO220F 適用于高功率開關電源（SMPS）、DC-DC 轉換器和功率因數校正（PFC）等應用。其低導通電阻和高漏極電流能力有助于提高系統效率和穩定性。

#### 工業電子
在工業控制領域，該MOSFET可用于電機驅動器、高功率開關和逆變器等應用。其高電壓耐受和高電流能力使其能夠應對工業環境中的各種高功率負載需求。

#### 照明系統
17N80C3-VB TO220F 也可應用于高壓LED驅動器和電源模塊，以提供高效率的照明解決方案。其高漏極電流和低導通電阻有助于降低系統的能耗并提高照明質量。

#### 電動車充電樁
在電動車充電樁中，該型號MOSFET可用于高功率控制和電池管理系統，具有高效率和高功率處理能力，確保充電樁的穩定性和安全性。

總之，VBsemi 17N80C3-VB TO220F MOSFET 適用于各種高功率高壓應用，具有優異的性能和穩定性，是工業、電源管理和電動車充電樁等領域的理想選擇。