### 產品簡介
**16N50L-TF3-T-VB**是一款由VBsemi生產的單N溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）。該產品采用TO220F封裝，適用于中壓高功率應用。16N50L-TF3-T-VB MOSFET采用Plannar技術制造，具有較高的漏源電壓和電流承載能力。
### 詳細參數說明
- **型號**：16N50L-TF3-T-VB
- **封裝**：TO220F
- **配置**：單N溝道
- **最大漏源電壓（VDS）**：550V
- **最大柵源電壓（VGS）**：±30V
- **閾值電壓（Vth）**：3V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：260mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流（ID）**：18A
- **技術**：Plannar
### 適用領域和模塊示例
1. **電源逆變器**：
16N50L-TF3-T-VB適用于中壓電源逆變器中的功率開關控制。其較高的漏源電壓和電流承載能力，使其能夠在中功率應用中提供可靠的性能。
2. **工業電機控制**：
在工業電機控制系統中，16N50L-TF3-T-VB可用于電機驅動器的功率開關控制。其較高的漏源電壓和電流承載能力，能夠滿足工業生產設備的要求。
3. **照明應用**：
該MOSFET適用于LED照明驅動器中的功率開關控制。其高效率和高可靠性，有助于提高LED照明系統的性能和可靠性。
4. **電源管理**：
在電源管理系統中，16N50L-TF3-T-VB可用于高效能DC-DC轉換器和逆變器。其低導通電阻和高電流承載能力，能夠提高系統的效率和穩定性。
16N50L-TF3-T-VB以其高可靠性和穩定性，適用于多種中壓高功率應用場景，是功率控制電路設計的理想選擇。
